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SCTH35N65G2V-7
碳化硅功率MOSFET器件
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTH35N65G2V-7
- 商品编号
- C2970626
- 商品封装
- H2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.652克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET（型号SCTH35N65G2V-7）的额定电压为650V，典型导通电阻为55mΩ，额定电流为45A，采用H2PAK-7封装。该器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发，具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能，开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- 极快且坚固的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 用于提高效率的源极感应引脚
应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 工业电机控制