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STL190N4F7AG
汽车级,电流:120A,耐压:40V
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、1.68 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL190N4F7AG
- 商品编号
- C2970634
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.308克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFETTM F7技术,具有增强型沟槽栅极结构,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的开关性能。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用