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STW6N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:6A
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- 描述
- N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW6N90K5
- 商品编号
- C2970595
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@720V | |
| 输入电容(Ciss) | 342pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用STripFET III技术制造的N沟道增强型功率MOSFET，该技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 业内最低的导通电阻与面积乘积
- 业内最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用