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STF4N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
- 描述
- N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF4N90K5
- 商品编号
- C2970564
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 173pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17.9pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺进行了最新研发。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有出色的制造重复性。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用