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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STGAP2SICSC

用于SiC MOSFET的4A单通道隔离栅极驱动器

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描述
适用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器
商品型号
STGAP2SICSC
商品编号
C2970584
商品封装
SOIC-8-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.244克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)1200
负载类型MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3.1V~5.5V
拉电流(IOH)5A
属性参数值
灌电流(IOL)5.5A
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL90ns
静态电流(Iq)1000uA
驱动侧工作电压15.5V~26V

商品概述

STGAP2SICS是一款单通道栅极驱动器,可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电气隔离。 该栅极驱动器具备4 A驱动能力和轨到轨输出特性,适用于工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器等中、高功率应用。该器件有两种不同配置可供选择。采用分离输出引脚的配置可通过使用专用栅极电阻独立优化导通和关断过程。具备单输出引脚和米勒钳位功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间出现栅极尖峰。两种配置都为外部元件提供了高度的灵活性,并减少了物料清单。 该器件集成了保护功能:包含针对碳化硅(SiC)MOSFET优化的欠压锁定(UVLO)功能和热关断功能,便于设计高可靠性系统。双输入引脚允许选择信号极性控制,并可实现硬件互锁保护,以避免控制器故障时出现直通现象。输入到输出的传播延迟小于75 ns,可实现高精度的PWM控制。此外,还具备待机模式,可降低空闲功耗。

商品特性

  • 最高1200 V高压轨
  • 驱动器电流能力:25℃时灌/拉电流4 A
  • 全温度范围内dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
  • 总输入 - 输出传播延迟:75 ns
  • 独立灌电流和拉电流选项,便于进行栅极驱动配置
  • 4 A米勒钳位专用引脚选项
  • 欠压锁定(UVLO)功能
  • 最高26 V栅极驱动电压
  • 带迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
  • 温度关断保护
  • 待机功能
  • 6 kV电气隔离
  • 宽体SO - 8W封装
  • 通过UL 1577认证

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(80个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个80个/管

总价金额:

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