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STD5N95K3
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
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- 描述
- 这些SuperMESH3™功率MOSFET是对SuperMESH™技术进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。这些器件具备极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5N95K3
- 商品编号
- C2970512
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低导通电阻，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 具有市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用