温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD13NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD13NM60ND
- 商品编号
- C2970514
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 845pF@50V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC - Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐用性
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用