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STD6N65M2
N通道,电流:4A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD6N65M2
- 商品编号
- C2970537
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.8pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用