温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP10N105K5
1个N沟道 耐压:1.05kV 电流:6A
- 描述
- N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP10N105K5
- 商品编号
- C2970527
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.05kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 StripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 出色的品质因数 (FoM)
- 低反向传输电容 (Crss) 与输入电容 (Ciss) 之比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用