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STB46N30M5
1个N沟道 耐压:300V 电流:53A
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- 描述
- N沟道300 V、0.037 Ohm典型值、53 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB46N30M5
- 商品编号
- C2970467
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容与输入电容比（Crss/Ciss），具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用