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STB16N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:15A
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- 描述
- N沟道900 V、280 mOhm典型值、15 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB16N90K5
- 商品编号
- C2970503
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此得到的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 业界最低的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用