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STGP20H60DF
高速沟槽栅场截止型IGBT，具有参数分布紧密、可安全并联、热阻低、短路额定、超快软恢复反并联二极管等特性，适用于电机控制、UPS和PFC
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- 描述
- 600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGP20H60DF
- 商品编号
- C2970485
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.75nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 177ns | |
| 导通损耗(Eon) | 209uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 261uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |