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STD30NF06T4
1个N沟道 耐压:60V 电流:28A
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- 描述
- N沟道60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD30NF06T4
- 商品编号
- C2970487
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
该器件是一款采用具备新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 典型RDS(on) = 0.020 Ω
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 通孔式IPAK (TO - 251)功率封装,采用管装(后缀“-1”)
- 表面贴装DPAK (TO - 252)功率封装,采用卷带包装(后缀“T4”)
应用领域
- 大电流、高开关速度
- 电机控制、音频放大器
- 螺线管和继电器驱动器
- DC - DC和DC - AC转换器