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STW58N60DM2AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW58N60DM2AG
- 商品编号
- C2970430
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（C_OSS）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用