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STW78N65M5
汽车级N通道650V, 0.024Ω, 69A
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- 描述
- 汽车级N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、69 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW78N65M5
- 商品编号
- C2970447
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 203nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些SuperMESH 3™功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）SuperMESH™技术改进的成果，并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最严苛的应用场景。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-开关应用