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STB18NF30
1个N沟道 耐压:330V 电流:18A
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- 描述
- 汽车级N沟道330 V、160 mOhm典型值、18 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB18NF30
- 商品编号
- C2970409
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 330V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这些器件是采用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 经过100%雪崩测试
- 结温可达175 °C
应用领域
- 开关应用