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STD47N10F7AG
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
- 描述
- 汽车级N沟道100 V、0.0125 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD47N10F7AG
- 商品编号
- C2970418
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这款单整流器基于一项专利技术，能够在给定的硅片面积下实现同类产品中最佳的正向压降VF与反向电流IR平衡。 FERD15S50采用PowerFLAT™ 5x6封装，针对开关模式电源中的整流和续流操作进行了优化。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 具有市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用