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STL9N60M2
N沟道,电流:4.8A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、0.76 Ohm典型值、4.8 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL9N60M2
- 商品编号
- C2970419
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 市场上极低的RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss / Ciss比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用