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STGWA15H120DF2
1.2kV 30A
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- 描述
- 1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA15H120DF2
- 商品编号
- C2970412
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 259W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC | |
| 输入电容(Cies) | 1.3nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 105pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 32pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 111ns | |
| 导通损耗(Eon) | 380uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 370uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 231ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于H系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间达到平衡，以最大化高频转换器的效率。此外，略正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- V_CE(sat)=2.1V@I_C=15A
- T_J=150℃时最小短路耐受时间5μs
- 安全并联
- 低热阻
- 超快恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 不间断电源
- 焊接
- 功率因数校正
- 高频转换器