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STB20N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:20A
- 描述
- N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB20N90K5
- 商品编号
- C2970338
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。凭借其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 业界最低的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用