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STS5N15F4
1个N沟道 耐压:150V 电流:5A
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- 描述
- 这种STripFET DeepGATE功率MOSFET技术是最新的改进技术之一，该技术经过特别设计，采用全新的栅极结构，可最大程度降低导通电阻，并提供出色的开关性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS5N15F4
- 商品编号
- C2970383
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.71nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 69.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进技术，减少了关键对准步骤，提供了出色的制造重复性。其结果是，该晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 栅极电荷最小化
- 100% 雪崩测试
- 出色的品质因数 (FoM)
- 极低的本征电容
应用领域
- 开关应用