- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF2HNK60Z
N沟道,电流:2A,耐压:600V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF2HNK60Z
- 商品编号
- C2970406
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这款高压器件是采用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET,SuperMESH技术是对成熟的PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外,该器件还针对最严苛的应用场景,确保具备高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用