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PD57060S-E
N沟道 65V 7A
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- 描述
- 60W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD57060S-E
- 商品编号
- C2970400
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.973克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
该器件是一款共源极 N 沟道增强型横向场效应射频功率 MOSFET。它专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。该器件在共源极模式下以 28 V 电压工作，频率最高可达 1 GHz。该器件采用首个真正的表面贴装塑料射频功率封装 PowerSO - 10RF，具备意法半导体（ST）最新 LDMOS 技术的出色增益、线性度和可靠性。器件卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO - 10 塑料封装旨在提供高可靠性，是首个获得 JEDEC 认证的意法半导体高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了特殊优化，具有出色的射频性能且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在 945 MHz / 28 V 条件下，输出功率 P_OUT = 60 W，增益为 14.3 dB
- 新型射频塑料封装