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STF8N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- N沟道650 V、0.56 Ohm典型值、7 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF8N65M5
- 商品编号
- C2970375
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容（Crss）与输入电容（Ciss）之比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量