温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB130N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道60 V、4.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB130N6F7
- 商品编号
- C2970355
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.172727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
这款STripFET™ II功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，专门针对降低导通电阻进行了优化，可提供卓越的开关性能。
商品特性
- 市场上极低的RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用