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STL45N10F7AG
N沟道,电流:18A,耐压:100V
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- 描述
- 汽车级N沟道100 V、20 mOhm典型值、18 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL45N10F7AG
- 商品编号
- C2970360
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFETTM F7技术,具备增强型沟槽栅极结构,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用