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STL90N3LLH6
N通道,电流:24A,耐压:30V
- 描述
- N沟道30 V、0.004 Ohm典型值、90 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL90N3LLH6
- 商品编号
- C2970305
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFETTM DeepGATETM技术开发的N沟道功率MOSFET,具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 该数值根据Rthj-pcb进行额定
- RDS(on) * Qg达到行业标杆水平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- 极低的开关栅极电荷
应用领域
- 开关应用