STWA40N95K5
N通道,电流:38A,耐压:950V
- 描述
- N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA40N95K5
- 商品编号
- C2970279
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 业内最低的导通电阻与面积乘积(RDS(on) x 面积)
- 业内最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用