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STP12NK30Z
N沟道,电流:9A,耐压:300V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP12NK30Z
- 商品编号
- C2970130
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 0.36 Ω
- 极高的 dv/dt 性能
- 增强的 ESD 性能
- 100% 雪崩额定
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 照明
- 非常适合离线式电源、适配器和功率因数校正(PFC)
- 大电流、高速开关