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L6491DTR

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描述: 高压高侧和低侧4 A栅极驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6491DTR
商品编号: C2970144
商品封装: SO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.39克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	85ns
	传播延迟 tpHL	85ns
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	2V~2.5V
	输入低电平(VIL)	950mV~1.45V
	静态电流(Iq)	540uA

商品概述

L6491是一款采用BCD6 “离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。集成了一个比较器，可快速保护器件免受过流、过热等影响。

商品特性

高达600 V的高压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度为± 50 V/ns
驱动器电流能力：源/灌电流4 A
带1 nF负载时，上升/下降时间为15 ns
具有迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
集成自举二极管
用于故障保护的比较器
智能关断功能
可调节死区时间
互锁功能
紧凑且简化的布局
减少物料清单
有效的故障保护
灵活、简便且快速的设计

应用领域

家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器
高强度气体放电灯（HID）镇流器
电源装置
感应加热
无线充电器
工业逆变器
不间断电源（UPS）

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	15ns
	下降时间(tf)	15ns