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L6571BD013TR
高压半桥驱动器（带振荡器）
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- 描述
- 带振荡器的高压半桥驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6571BD013TR
- 商品编号
- C2970271
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 270mA | |
| 拉电流(IOH) | 170mA | |
| 工作电压 | 10V~15.6V | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 500uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
该器件是内置振荡器的高压半桥驱动器，有DIP-8和SO8两种封装类型。可使用外部电阻和电容进行编程，内部电路允许由外部逻辑信号驱动。输出驱动设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT，内部逻辑确保死区时间以避免功率器件交叉导通。有两个版本：L6571A和L6571B，其内部死区时间不同，L6571A为1.25μs，L6571B为0.72μs（典型值）。振荡器频率可通过外部电阻和电容编程，计算公式为f_OSC = 1/(2·R_F·C_F·ln2) = 1/(1.3863·R_F·C_F)，其中R_F和C_F是外部电阻和电容。
商品特性
- 高压轨高达600V
- BCD离线技术
- Vs上的15.6V齐纳钳位
- 驱动电流能力：灌电流270mA，拉电流170mA
- 极低的启动电流：150mA
- 带迟滞的欠压锁定
- 可编程振荡器频率
- 死区时间：L6571A为1.25μs，L6571B为0.72μs
- dV/dt抗扰度高达±50V/ns
- ESD保护
应用领域
- 驱动外部n沟道功率MOSFET
- 驱动外部IGBT