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STD30N6LF6AG
1个N沟道 耐压:60V 电流:24A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、19 mOhm典型值、24 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD30N6LF6AG
- 商品编号
- C2970272
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
VNB10N07、VNK10N07FM、VNP10N07FI 和 VNV10N07 是采用 VIPower M0 技术制造的单片器件，旨在用于直流至 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能，可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压，可检测故障反馈。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐用性
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用