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SCT1000N170
碳化硅功率MOSFET，高速开关性能，内置快速稳健本征体二极管，低电容
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET：55 A、1700 V、70 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT1000N170
- 商品编号
- C2970166
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 133pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET利用宽带隙材料的先进创新特性生产。其单位面积导通电阻优异，开关性能几乎不受温度影响。SiC材料的优异热性能与该器件采用的HiP247封装相结合，使设计人员能够使用具有显著改善热性能的行业标准外形。这些特性使该器件非常适合高效和高功率密度应用。
商品特性
- 高速开关性能
- 极快且稳健的本征体二极管
- 低电容
- 极高的工作结温能力（T_J=200℃）
应用领域
- 服务器辅助电源
- 开关模式电源