温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD96N3LLH6
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道30 V、0.0037 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD96N3LLH6
- 商品编号
- C2970169
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@5.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |