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STL70N4LLF5
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、6.1 mOhm典型值、18 A STripFET F5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL70N4LLF5
- 商品编号
- C2970222
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用意法半导体（ST）专有的STripFET™技术的第七代设计规则，并配备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
商品特性
- N沟道增强型
- 相较于上一代产品，导通电阻（RDS(on)）与面积的乘积更低
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用