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STB46NF30
1个N沟道 耐压:300V 电流:42A
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- 描述
- N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB46NF30
- 商品编号
- C2970233
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 442pF |
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑结构和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中，具有全球最佳的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用