温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD4N62K3
1个N沟道 耐压:620V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MDmesh K3功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）对MDmesh技术进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。该器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求最为严苛的应用场景。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD4N62K3
- 商品编号
- C2970197
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）也很低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用