- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MJD32CT4-A
PNP 电流:3A 电压:100V
- 描述
- 低压PNP功率晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD32CT4-A
- 商品编号
- C2970153
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 直流电流增益(hFE) | 10 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
该器件采用平面技术和“基岛”布局制造。由此产生的晶体管具有高增益性能和极低的饱和电压。
商品特性
- AEC-Q101认证
- 表面贴装TO-252功率封装，带卷装
- 与NPN型MJD31CT4-A互补
应用领域
- 通用线性和开关设备