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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 直流电流增益(hFE) | 25；10 | |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
该器件采用平面技术和“基岛”布局制造。由此产生的晶体管具有高增益性能和极低的饱和电压。
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补型NPN-PNP晶体管
应用领域
- 通用用途
- 音频放大器