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STT4P3LLH6
P通道,电流:4A,耐压:30V
- 描述
- P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，SOT23-6L封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STT4P3LLH6
- 商品编号
- C2970134
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
全钳位MOSFET采用意法半导体（ST）基于条形布局的最先进MESH OVERLAY™工艺制造。这项新技术的内在优势与额外的钳位能力相结合，使该产品特别适用于最恶劣的工作条件，如汽车环境中遇到的条件。对于任何其他需要更高耐用性的应用，也推荐使用该产品。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用