温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL10N60M6
N沟道,电流:5.5A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、550 mOhm典型值、5.5 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL10N60M6
- 商品编号
- C2970135
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26.2pF |
商品概述
SuperMESH™ 系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全产品线，其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器