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STH240N10F7-6
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH240N10F7-6
- 商品编号
- C2970136
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.95nF |
商品概述
该器件是一款基于 MDmesh™ M5 创新垂直工艺技术与知名的 PowerMESH™ 水平布局相结合的 N 沟道功率 MOSFET。由此生产出的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 具有市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用