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STF13NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF13NM60ND
- 商品编号
- C2970141
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 845pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中,具有全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
-开关应用