温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL7N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
- 描述
- N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL7N10F7
- 商品编号
- C2970143
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用意法半导体(ST)专有的STripFETTM技术的第七代设计规则,并配备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻(RDS(on))。
商品特性
- N沟道增强型
- 相较于上一代产品,导通电阻(RDS(on))与面积的乘积更低
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用