温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.115nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SuperMESH系列是通过对成熟的基于条形布局的PowerMESH进行优化得到的。除了显著降低导通电阻外，它还能为要求最苛刻的应用提供出色的dv/dt性能。该系列完善了高压功率MOSFET的全产品线。
商品特性
- 极高的dv/dt性能
- 100%雪崩测试
- 最小化栅极电荷
应用领域
- 开关应用