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STP100N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP100N10F7
- 商品编号
- C2970027
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.369nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 823pF |
商品特性
- -30V/-40A
- 栅源电压VGS等于 -10V时，漏源导通电阻RDS(ON)最大值为6.1mΩ
- 栅源电压VGS等于 -4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON)最大值为11mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级通过8KV
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。