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STGB30M65DF2
650V 60A
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- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB30M65DF2
- 商品编号
- C2970045
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.623克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 258W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 960uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |