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STGD5H60DF
采用先进沟槽栅场截止结构的高速IGBT，具有开关速度快、参数分布紧密、可安全并联、热阻低、短路额定等特点
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- 描述
- 600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD5H60DF
- 商品编号
- C2970052
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 20A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@480V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 855pF | |
| 输出电容(Coes) | 34pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 19pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 140ns | |
| 导通损耗(Eon) | 56uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 78.5uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 134.5ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |