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STGD5H60DF实物图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

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STGD5H60DF

环保标识
  • 耐压:600V 电流:10A

  • SMT扩展库
  • 描述

    600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STGD5H60DF
  • 商品编号

    C2970052
  • 商品封装

    DPAK
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.476克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)10A
功率(Pd)83W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)1.95V@15V,5A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)43nC
属性参数值
输入电容(Cies@Vce)-
开启延迟时间(Td(on))30ns
关断延迟时间(Td(off))140ns
导通损耗(Eon)0.056mJ
关断损耗(Eoff)0.0785mJ
反向恢复时间(Trr)134.5ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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