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STN4NF06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、0.07 Ohm典型值、4 A STripFET II功率MOSFET，SOT-223封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN4NF06L
- 商品编号
- C2970053
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些具有本征快速恢复体二极管的FDmesh II Plus低Qg功率MOSFET采用新一代MDmesh技术：MDmesh II Plus低Qg生产。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器，非常适合桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 与上一代产品相比，RDS(on) x 面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用