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STN4NF06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、0.07 Ohm典型值、4 A STripFET II功率MOSFET，SOT-223封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN4NF06L
- 商品编号
- C2970053
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用STripFET工艺开发,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用