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STD888T4引脚图
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STD888T4

PNP 电流:5A 电压:30V

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描述
高电流高性能低压PNP晶体管
商品型号
STD888T4
商品编号
C2970050
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)5A
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)15W
直流电流增益(hFE)100
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100uA
集射极饱和电压(VCE(sat))150mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个PNP

商品概述

该器件采用低压PNP平面技术制造,使用“基岛”布局,所得晶体管具有出色的增益性能和极低的饱和电压。

商品特性

  • 极低的集电极-发射极饱和电压
  • 直流电流增益hFE>100
  • 5A连续集电极电流
  • 表面贴装DPAK(TO-252)功率封装(卷带包装)
  • 符合2002/93/EC欧洲指令

应用领域

  • 便携式设备中的电源管理
  • 偏置电源电路中的电压调节
  • 电池充电器应用中的开关稳压器
  • 重载驱动器

数据手册PDF