STD888T4
PNP 电流:5A 电压:30V
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- 描述
- 高电流高性能低压PNP晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD888T4
- 商品编号
- C2970050
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
该器件采用低压PNP平面技术制造,使用“基岛”布局,所得晶体管具有出色的增益性能和极低的饱和电压。
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 直流电流增益hFE>100
- 5A连续集电极电流
- 表面贴装DPAK(TO-252)功率封装(卷带包装)
- 符合2002/93/EC欧洲指令
应用领域
- 便携式设备中的电源管理
- 偏置电源电路中的电压调节
- 电池充电器应用中的开关稳压器
- 重载驱动器


